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  • 半導体拡散炉構成温度制御装置

    1052

    半導体産業において、拡散炉は半導体材料の表面にドーピング層を製造するために使用される装置である。高温加熱と制御された拡散雰囲気によってドーピングプロセスを実現する。

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  • LTS -20℃~80

    1438

    半導体製造プロセスにおいて、反応チャンバーの温度制御、ヒートシンクの温度制御、熱媒の不燃性流体の温度制御に広く使用されている。

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  • LTS -40℃~80

    1547

    It is widely used in the semiconductor manufacturing process to control the temperature of the reaction chamber, the temperature of the heat sink, and the temperature control of the non-flammable fluid of the heat transfer...

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  • LTS -60℃~80

    1504

    半導体製造プロセスにおいて、反応チャンバーの温度制御、ヒートシンクの温度制御、熱媒の不燃性流体の温度制御に広く使用されている。

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  • LTS -80℃~80

    1499

    半導体製造プロセスにおいて、反応チャンバーの温度制御、ヒートシンクの温度制御、熱伝達手段の不燃性流体の温度制御に広く使用されている。

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  • TES -45℃~250

    2119

    温度制御範囲:-45℃~250℃ ;電力範囲:2.5kW~25kW ;温度制御精度:±0.3℃ チップ専用高温・低温テストボックス 半導体電子部品の製造において、過酷な環境下で使用される。

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  • TES -85℃~200

    1855

    温度制御範囲:-45℃~250℃ ;電力範囲:2.5kW~25kW ;温度制御精度:±0.3℃ チップ専用高温・低温テストボックス 半導体電子部品の製造において、過酷な環境下で使用される。

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